Grupo de investigadores de Taiwán desarrolla con éxito diodo de 0,7 nanómetros

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Miembros del equipo de la Universidad Cheng Kung. (Foto: RTI)

Un equipo de investigación del Departamento de Física de la Universidad Cheng Kung ha desarrollado con éxito un diodo de aproximadamente 0,7 nanómetros (nm), más ligero y eficiente, que podrá satisfacer la demanda necesaria en computación para futuros chips de inteligencia artificial y aprendizaje automático.

La tecnología de semiconductores se encuentra en auge y pronto se enfrentará al límite de 3 nm en los circuitos integrados. Por ello, además de mejorar la estructura básica de los transistores en los circuitos integrados, los científicos buscan también propiedades físicas que se puedan reducir a escalas atómicas de menos de 1 nm.

Con el apoyo del Ministerio de Ciencia y Tecnología, la Universidad Nacional Cheng Kung y el Centro Nacional de Investigación de Radiación Sincrotrónica, un grupo de investigadores del Departamento de Física de la Universidad Cheng Kung ha desarrollado con éxito un diseleniuro de tungsteno (WSe2) de aproximadamente 0,7 nm.

Wu Zhong-li, profesor del Departamento de Física de la Universidad Nacional Cheng Kung, señaló que si en el futuro el diodo de un solo átomo bidimensional se miniaturiza hasta el límite, se podría combinar en varios circuitos integrados, reduciendo considerablemente la interferencia y aumentando la velocidad de operación. Se espera que supere con creces a las computadoras del presente y que logre un gran efecto de ahorro de energía. En el futuro, una única carga del teléfono móvil podría servir de forma continuada durante todo un mes. El estudio fue publicado en la revista Nature Communications en agosto de este año.

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